200W 808nm Laser Diode Bar Bar

200W 808nm Laser Diode Bar Bar

Hög effekt 200W 808nm laserchip
Skicka förfrågan
Beskrivning

 

200W 808nm Laser Diode Bar Bar

Översikt

 

Särdrag:

Halvljusdivergens och liten ljusavgivande bländare

IR-laserstrålning med hög effekt och hög strålintensitet

Brett utbud av barkonfigurationer

Hög ljusstyrka

Ansökan:

Halvledarlasermoduler med hög-ljusstyrka

Industriell pumpning Källa

Laserbelysning

Dermatologi och kirurgi

Single Emitter Laser Chip

Datablad:

 

Art.nr: LC808SB200

Drift  
Center Våglängd 808nm
Uteffekt 200W
Driftläge QCW
Geometrisk  
Emitter bredd 120um
Kavitets längd 1500um
Kavitets tjocklek 120um
Kavitets bredd 160um
Elektrooptiska data  
Tröskelström 25A
Driftström 190A
Driftspänning 1.9V
Sluttningseffektivitet 1.2W/A
Slow Axis Divergens 12
Snabb axelavvikelse 39
Spektral bredd 4nm
Polarisering TE

 

Populära Taggar: 200w 808nm laserdiod bar bar leverantörer, tillverkare Kina, fabrik, grossist, tillverkad i Kina