BrandNew har alltid insisterat på oberoende forskning och utveckling och produktion av högeffektslaserchips. 9XXnm 15W, 20W och 25W single-tube chips som har lanserats successivt har testats på industrimarknaden i många år och har varit allmänt betrodda och erkända av marknaden.
För att möta marknadens efterfrågan och förbättra laserpumpkällans uteffekt och pris-till-effekt-förhållande har BrandNew lanserat ett nytt 9XXnm 28W halvledarlaserchip, vilket har förbättrats avsevärt när det gäller prestanda och tillförlitlighet.
01 Resultatindikatorerna har nått den internationella
Förbättra effekt och effektivitet
Halvledarlasrarnas uteffekt och effektivitet påverkas främst av faktorer som lasertröskel, lutning och högströmsströmsövergång. BrandNew har effektivt undvikit högströmsöverrullning och förbättrad fotoelektrisk omvandlingseffektivitet genom att optimera epitaxialstrukturdesignen.
1. att öka effektiviteten
Vanligtvis genom att minska dopningskoncentrationen i PN-korsningen för att sänka tröskeln och öka lutningen, kommer en för låg dopningskoncentration att öka motståndet i PN-korsningen och öka spånspänningen. För att lösa problemet med optimal balans mellan tröskel, lutning och spänning optimerade vi den asymmetriska stora optiska kavitetsstrukturvågen, ökade vågledarskiktets tjocklek och utformade noggrant fördelningen av dopningskoncentrationen i olika regioner i PN-korsningen för att minska det optiska fältet och hög dopning. Överlappningen av fria bärare i orörlighetsspärrskiktet minskar absorptionsförlusten för att säkerställa att spänningen förblir i princip oförändrad när tröskeln sänks och lutningseffektiviteten förbättras, vilket förbättrar spåneffektiviteten.
2. Undvik högströmsöverrullning
Den höga strömbockningen beror främst på minskningen av den inre kvanteffektiviteten under högströmsinjektion. Genom att optimera materialets energibandsstruktur nära laserstrukturens förstärkningsregion och förbättra PN-korsningens förmåga att injicera elektroner förbättras kvanteffektiviteten hos högströmsinjektionen och det höga strömbockningsfenomenet undviks effektivt.
Förbättra strålkvaliteten, öka ljusstyrkan
BrandNew använder antivågguide- och mikrostrukturmodifieringsmetoder för att öka spridningsförlusten av högordningslägen, undertrycka sidolägen i hög ordning, förbättra laserchips strålkvalitet och öka ljusstyrkan. För närvarande uppnår BrandNew single-tube chip en 95% energiavvikelsevinkel på den långsamma axeln 9 °, ljusstyrkan är större än 80MW/cm2sr.
Genom effektiv behandling och förebyggande av olika påverkansfaktorer har BrandNews egenutvecklade enrörschip nått kommersiell effekt på 28 W, testeffekten nått mer än 30W, långsam axel 95% energiavvikelsevinkel 9 °, ljusstyrkan större än 80 MW/cm2sr och effektiviteten har nått 65 %, ett antal prestandaindikatorer har nått den internationella ledande nivån.
02 Hög tillförlitlighet för att möta industrimarknadens behov
Samtidigt som vi eftersträvar högre produktionseffekt och omvandlingseffektivitet, är uppfyllandet av de högre kraven på industrimarknaden för laserliv också riktningen för våra oupphörliga ansträngningar.
Kavitetsytans bearbetningsteknik är nyckeln till att bestämma tillförlitligheten och den industriella tillämpningen av högeffekts halvledarlaserchips. Ökningen av laserchipkraften åtföljs av ökningen av spånens kopplingstemperatur och den optiska effekttätheten på hålrumsytan, vilket ställer högre krav på hålrumsytans skadebeständighet. Baserat på år av ackumulering av nyckelteknologier för speciell kavitetsbehandling har BrandNew förbättrat processnivån för oberoende forsknings- och utvecklingsutrustning, utvecklat ny kavitets ytbehandlingsteknik, förbättrat kontrollkvaliteten på kavitetsytans behandling och förbättrat kavitetsytans förmåga att motstå optisk katastrofala skador. Se till att 28W högeffektlaserchipet uppfyller kraven på industrimarknaden för laserns livslängd.
Välkommen kontakta oss för mer information:
Whatsapp/Skype/Wechat: 0086 181 5840 0345
E-post: info@brandnew-china.com