2,5 Gbps InGaAs/InP APD-TIA TILL-KAN
Brandnews lavinfotodiod (APD) med burst-läge TIA är förpackad i ett 6-stifts TO-46-fodral med asfäriskt linsskydd. APD:s integrerade transimpedansförstärkare (TIA) kan drivas i ett burst-läge som höjer indatahastigheten med 2,5 Gb/s. Användare kan styra burst-läget via en logisk signal ansluten till stift 5 på APD:s TO-46-väska.
Designad för ett optiskt våglängdsområde på 900 nm till 1640 nm, APD med burst-läge TIA har en mörkström på 0,4 nA typiskt vid 98 % genomslagsspänning. Typisk respons är 13 A/W vid 1310 nm våglängd och 5mW optisk ineffekt.
Drag
Långvåglängdsdrift
Datahastighet upp till 2,5 Gbps
3,3V låg-drift
Paket: TO-46
Intern AGC Circui t
Differentialutgång
Utmärkt tillförlitlighet som uppfyller EU:s RoHS-krav
Hög känslighet
Ansökningar
XG-PON OLT-mottagare
Beskrivning
Produkten integrerar en höghastighets Photodiode PIN och TIA med AGC.

Datablad:
| Absoluta högsta betyg | |
| Förvaringstemperatur | -55-+150 grad |
| APD omvänd ström | 2mA |
| Ingång optisk effekt | 5mW |
| Lödningstemperatur | 260/10 grader /s |
| Rekommenderade driftförhållanden | |
| Driftstemperatur | 25 grader |
| TIA Driftspänning | 3.3V |
| APD Driftspänning | 3-5.2V |
| Opto – Elektrisk egenskap | |
| Optisk våglängd | 900-1650 nm |
| Tillförselström | 35mA |
| Genombrottsspänning | 40-52V |
| Mörk ström | 0,4-10nA |
| Responsivitet | 13A/W |
| Bandbredd | 1,8 GHz |
| Känslighet | -31,5dBm |
| Optisk överbelastning | -4dBm |
Ritning:

Populära Taggar: 2,5gbps ingaas/inp apd-tia till-burkleverantörer, tillverkare Kina, fabrik, grossist, tillverkad i Kina










