2,5 Gbps InGaAs/InP APD-TIA TILL-KAN

2,5 Gbps InGaAs/InP APD-TIA TILL-KAN

Datahastighet upp till 2,5 Gbps
Skicka förfrågan
chatta nu
Beskrivning

2,5 Gbps InGaAs/InP APD-TIA TILL-KAN

 

Brandnews lavinfotodiod (APD) med burst-läge TIA är förpackad i ett 6-stifts TO-46-fodral med asfäriskt linsskydd. APD:s integrerade transimpedansförstärkare (TIA) kan drivas i ett burst-läge som höjer indatahastigheten med 2,5 Gb/s. Användare kan styra burst-läget via en logisk signal ansluten till stift 5 på APD:s TO-46-väska.

Designad för ett optiskt våglängdsområde på 900 nm till 1640 nm, APD med burst-läge TIA har en mörkström på 0,4 nA typiskt vid 98 % genomslagsspänning. Typisk respons är 13 A/W vid 1310 nm våglängd och 5mW optisk ineffekt.

 

Drag
Långvåglängdsdrift
Datahastighet upp till 2,5 Gbps
3,3V låg-drift
Paket: TO-46
Intern AGC Circui t
Differentialutgång
Utmärkt tillförlitlighet som uppfyller EU:s RoHS-krav
Hög känslighet

 

Ansökningar

XG-PON OLT-mottagare


Beskrivning
Produkten integrerar en höghastighets Photodiode PIN och TIA med AGC.

 

125Gbps InGaAsInP Super-TIA TO46

 

Datablad:

Absoluta högsta betyg  
Förvaringstemperatur -55-+150 grad
APD omvänd ström 2mA
Ingång optisk effekt 5mW
Lödningstemperatur 260/10 grader /s
Rekommenderade driftförhållanden  
Driftstemperatur 25 grader
TIA Driftspänning 3.3V
APD Driftspänning 3-5.2V
Opto – Elektrisk egenskap  
Optisk våglängd 900-1650 nm
Tillförselström 35mA
Genombrottsspänning 40-52V
Mörk ström 0,4-10nA
Responsivitet 13A/W
Bandbredd 1,8 GHz
Känslighet -31,5dBm
Optisk överbelastning -4dBm

 

Ritning:

 

4

Populära Taggar: 2,5gbps ingaas/inp apd-tia till-burkleverantörer, tillverkare Kina, fabrik, grossist, tillverkad i Kina